Junções rasas em Si e SIMOX

Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.

A montagem no cinema e a associação-livre na psicanálise

O Cinema e a Psicanálise são contemporâneos. Ao longo do ano de 1995 muitos eventos marcaram a comemoração do centenário de um e outro. Se ambos surgem no mesmo momento histórico, que outros elos poderiam ser estabelecidos? Algumas considerações preliminares marcam possibilidades de interseções entre um e outro campo, para logo fazer um recorte onde a escolha recai por estabelecer uma associação entre os temas da associação-livre na psicanálise e a montagem no cinema. A questão básica norteadora da pesquisa está dada pela busca de bases comuns entre o fazer do analista quando interpreta a cadeia associativa produzida por seus pacientes e o fazer do montador quando produz cortes e junções de trechos fílmicos justapondo-os em uma seqüência determinada. A metodologia que perpassa a presente pesquisa está constituída basicamente pelo referencial psicanalítico. Subsidiariamente os aportes postos pelo método clínico piagetiano, em suas origens, servem de guia e inspiração para alguns momentos do trabalho. Estudamos cadeias associativas produzidas em três contextos diferentes, configurando três fontes de coleta e análise de dados: trechos de falas de pacientes em análise, principalmente aqueles que fazem referências a relatos de sonhos e filmes; "montagens" de trechos de filmes produzidas por alunos para ilustrar trabalhos na disciplina de "Teoria e Técnicas Psicoterápicas" e cortes e transições numa seqüência fílmica digitalizada utilizando os recursos propiciados pelo software Adobe Premiere LE. Algumas conclusões apontam no sentido da possibilidade de ser profícuo o trabalho conjunto de cineastas e psicanalistas, especialmente na constituição de um laboratório de estudos para construção de conhecimentos e desenvolvimento das habilidades requeridas para a formação de profissionais das duas áreas. Muitas perspectivas para desdobramentos e continuidade são indicadas, visando constituir uma linha de pesquisa sistemática na interseção dos campos do cinema e da psicanálise

Consultando XML por meio de modelos conceituais : extensão e formalização de CXPath

Com o objetivo de realizar consultas em diferentes fontes XML,é necessário que se escreva uma consulta específica para cada fonte XML. Uma solução mais adequada é fazer uma única consulta sobre um esquema conceitual e então traduzi-la automaticamente para consultas XML para cada fonte XML específica. CXPath é uma linguagem de consulta que foi proposta para consultar dados em nıvel conceitual. Este trabalho tem como objetivos formalizar a linguagem existente, estendê-la para permitir consultas que utilizem o conceito de herança e estender o mecanismo de tradução de consultas. A formalização da linguagem é feita por meio de um conjunto de regras que definem formalmente um critério para validar uma consulta escrita nessa linguagem sobre um esquema conceitual. Essa formalização permite estender a linguagem para que ela passe a tratar os relacionamentos de herança e especialização. Outra contribuição dessa formalização é que ela apresenta o primeiro passo rumo à verificação formal de que a avaliação da consulta global traz os mesmos resultados obtidos pela avaliação da consulta resultante do processo de mapeamento de consultas proposto. A extensão do mecanismo de tradução de consultas é necessária para traduzir relacionamentos representados no modelo conceitual para junções nas fontes de dados XML. Tal aspecto é fundamental para permitir a construção de modelos conceituais com relacionamentos semânticos e que não dependam de relacionamentos físicos existentes nos documentos fontes, mas apenas de junções tal como é feito em bases de dados relacionais.

Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição

O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz. Tecnologia planar do silício foi usada na fabricação do dispositivo, incluindo implantação iônica, difusão, fotolitografia, deposição de filmes metálicos e crescimento de dielétricos. A caracterização elétrica do sensor inclui medidas estáticas, com a distribuição de portadores em regime estacionário, medidas dinâmicas, onde é analisado o transiente do sinal elétrico e medidas espectroscópicas para analisar a resposta do sensor em função do comprimento de onda da luz incidente. Simulações dos processos de fabricação, parâmetros dos passos tecnológicos, distribuição dos portadores e do potencial elétrico bidimensional no sensor foram usadas para a otimização das características do sensor.